付録 A — 記号と用語
（記号集は本文の確定にあわせて整える。以下は最小の出発点。）
1 記号
| 記号 | 読み・意味 | 初出 |
|---|---|---|
| \(a\) | 立方単位胞の格子定数（シリコンで実験値 5.431 Å） | 第1章 |
| \(E_\text{tot}\) | 全エネルギー（比較でだけ意味をもつ量。Si 2原子セルで ≈ −93.45 Ry） | 第3章 |
ecutwfc |
波動関数の平面波カットオフ（波の解像度。本書の実行では 60 Ry） | 第5章 |
ecutrho |
電荷密度のカットオフ（PAW では ecutwfc の4倍が目安） |
第4・5章 |
| \(E_g\) | バンドギャップ（教科書 ≈ 1.1 eV、標準的な PBE ≈ 0.6 eV） | はじめに・第9章 |
2 用語
- 第一原理計算：経験パラメータに頼らず、原子核と電子と量子力学の基本法則から出発する計算。本書では「原子配置→力・全エネルギー→電子状態」を返す変換器として扱う。
- SCF：自己無撞着場。電子の配置と場のつじつまが合うまで反復する手続き（第7章）。
- 擬ポテンシャル：芯電子を原子核と一括りにし、結合に与る価電子だけを相手にする近似。本書では
Si.pbe-n-kjpaw_psl.1.0.0.UPF（PAW, PBE, 価電子4）を使う（第4章）。